MEMS磁力线聚集和垂动调制磁场传感器

针对巨磁阻和磁隧道结等磁阻元件的1/f噪声,提出一种采用微机电系统的磁力线聚集和垂动调制磁场传感器。通过将被测磁场从低频转移到几kHz,实现对磁场的DC/AC转化,从而减小了磁阻元件的1/f噪声。基于该方案采用多层膜巨磁阻元件AA002制作了磁场传感器样品,并进行了实验测试,结果表明:磁传感器样品的调制效率达到了19.3%,超过了已有的其他各种调制方案,同时低频磁场的探测能力达到槡120pT/Hz,相比巨磁阻元件AA002提高了40多倍。     

一种新的Weibull分布恒定应力加速寿命试验分析方法

分析了Weibull分布恒定应力加速寿命试验常用的二步分析方法存在的不足 ,建立了一种新的构造数据分析方法。考虑到分布参数的相关性 ,该方法引入了Weibull分布特征寿命参数的二次估计 ,在模型拟合优度上高于原来的二步分析方法 ,使分析精度得到了改善。同时 ,该方法避免了原来二步分析方法的查表过程 ,便于软件实现和工程实际应用。     

多进制多维信号集信道容量分析及其计算

描述了信道容量的一般概念 ,具体就波形信道 ,连续信道及离散输入连续输出无记忆信道进行了分析 ,分别导出了它们的信道容量公式。结合几种常见的多进制多维调制技术MPSK、MQAM、L正交信号及其星座分析 ,给出了它们信道容量的Monte Carlo模拟以及数值积分模拟 ,同时分析了由于信号集扩展而带来的编码增益     

基于加速性能退化的雷达电源板可靠性评估

评估雷达系统可靠性时,失效寿命难以获得,性能退化数据成为评估可靠性的重要信息。对其中器件级信息充足,板级、分系统级、系统级现场试验信息缺乏,而收集这些部分的退化数据仍需较长时间,以雷达某一部分的整体为研究对象进行加速退化试验,验证是否存在累积效应及有规律的退化过程。以某雷达电源整板为例,在温度应力下进行恒加加速退化试验,观测到特征退化量电源板输出电压随温度变化的退化规律,进行统计推断。结果表明基于加速退化数据进行该部分可靠性分析方法可行、结果可信,且更具优势,为雷达系统可靠性评估及增强可信度奠定基础。     

随机脉宽调制的Simulink仿真研究

应用Matlab仿真平台,开发了随机脉宽调制的Simulink仿真文件,运用此仿真文件,研究了逆变器的谐波能量分布随随机增益变化的规律,仿真结果有助于实际装置的研制。     

Concave envelopes of monomial functions over rectangles

The construction of convex and concave envelopes of real‐valued functions has been of interest in mathematical programming for over 3 decades. Much of this interest stems from the fact that convex and concave envelopes can play important roles in algorithms for solving various discrete and continuous global optimization problems. In this article, we use a simplicial subdivision tool to present and validate the formula for the concave envelope of a monomial function over a rectangle. Potential algorithmic applications of this formula are briefly indicated. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Naval Research Logistics, 2004     

一种基于主动干扰方的空间链路干扰评估方法

针对空间链路干扰效能的评估问题,从主动干扰方角度,提出主动评估的总体框架,并且给出了几种能够用于独立评估的指标参数。在此基础上,提出了一种对空间自适应调制编码链路干扰进行时间效能评估的模型,推算了干扰延迟链路传输时间的定量表示,数值仿真结果表明模型的合理性和有效性。     

一种新的合成孔径雷达压制干扰方法

首先对合成孔径雷达系统的强大抗干扰能力进行了分析与说明。然后在分析了传统调频斜率失配干扰方法和移频干扰方法的干扰效果的基础上,针对固定移频干扰只能实现点目标或线目标干扰,调频斜率失配较大时易被干扰方根据干扰信号与原信号较大的调频斜率失配特征进行反干扰的缺陷,提出一种将两者结合的方法:调频斜率失配-移频干扰。最后实验仿真证实了此种方法的有效性。     

基于线性频率调制与解调的片上直流电压信号放大器

片内直流电压信号摆幅较小,且受到CMOS工艺中被动器件一致性较差、易被高频交流信号干扰等因素的影响,采用典型的比例放大电路难以放大这类信号.为此提出了一种基于“载频”的“电压→频率→电压”放大方法,使用载波信号作为片上长距离传输的信号,将易受到干扰的直流信号局部化,利用前馈补偿技术构建了具有高度线性转换关系的“电压→频率”调制电路,采用具有较高线性度的频率解调电路实现后级电压信号的解调,有效地放大片内直流电压信号.电路仿真结果表明,所提出的放大器电路能有效地放大片上电压信号,直流电压增益为2.4.     

实验条件对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶—凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜。XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀、平整,其SiO2粒子和孔隙的直径为30～40nm。利用椭偏仪测量了薄膜的厚度和折射率,薄膜的厚度为300～1100nm,折射率为1.13～1.23,孔隙率为50%～70%,介电常数为1.9～2.4。SiO2薄膜的厚度随溶剂异丙醇(IPA)用量的减少、催化剂NH4OH用量的增加、SiO2溶胶粘度的增大和旋转涂胶速度的降低而增大;介电常数随NH4OH用量和SiO2溶胶粘度的增加而降低,IPA用量和旋转速度对SiO2薄膜的介电常数影响较小。